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IPERLITE任务是一次在轨演示（IOD）飞行，旨在从510公里轨道展示下一代高光谱成像技术。IPERLITE任务的核心是由imec开发的高光谱传感器，这是经过多年ESA支持的研发成果，涉及多个比利时合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA项目基础上进一步发展。IPERLITE并非作为实际运行卫星，而是作为试验平台——访问农业遗址并收集光谱数据，以评估其创新有效载荷在真实轨道条件下的性能。IPERLITE为日益增长的紧凑型高光谱任务做出贡献，这些任务旨在普及光谱数据的获取，补充CHIME和SBG等大型
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IPERLITE IOD CMOS 探测器 imec
关键Imec在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在推动CMOS 2.0的发展，CMOS 2.0通过将片上系统（SoC）划分为专门的功能层来优化芯片设计。CMOS 2.0 利用先进的 3D 互连和背面供电网络 （BSPDN） 来提高电源效率并实现 SoC 内不同功能的异构堆叠。背面连接和 BSPDN 有助于晶圆两侧电源和信号的无缝集成，减少红外压降并增强移动 SoC 和其他应用的整体性能。在快速发展的半导体技术领域，imec 最近在晶圆间混合键合和背面连接方面的突破正在为 CMOS 2.0 铺平道路，这是
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CMOS 2.0 半导体
共话十年变迁，共谋未来新局。9月24日至26日，中国（上海）国际传感器技术与应用展览会（SENSOR CHINA 2025）在上海跨国采购会展中心隆重举办，迎来其具有里程碑意义的十周年。作为SENSOR CHINA的“老朋友”，创新传感器解决方案的提供者——盛思锐（Sensirion）以“精于微·智于芯”为主题精彩亮相本届展会，多维度呈现其在传感器微型化、集成化与智能化领域的前沿突破性成果，深刻诠释了“感知十年，联接无限”的展会愿景。盛思锐现场展台在万物互联向万物智联演进的浪潮中，传感器的“微型化”已成为
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盛思锐 微型化传感器 SENSOR CHINA
2025年上半年，中国电子行业在 AI 与智能制造双轮驱动下活力迸发，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.1%，出口、AI 终端创新与国产软硬件生态均呈向好态势。作为感知层核心的传感器，正成为技术变革与产业跃迁的关键。其技术矩阵已实现多维突破，多个关键领域国产化率也大幅提升，本土头部企业也开始跻身全球供应链前列，构建起从基础元件到系统集成的全链条竞争力。亮眼成绩源于十年积淀。传感器产业在2025年将实现稳健跃迁，而与行业同行的SENSOR CHINA，作为全亚洲权威性最强、专业性最高、规模最大的传感
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传感产业 智能感知 SENSOR CHINA
以一个实际的CMOS反相器实物为例，从逆向的角度出发，为大家简单介绍其在芯片中的具体呈现形式。通过这一过程，希望能够帮助各位读者在后续的逆向工程实践中，快速而准确地判断出CMOS反相器，从而为深入分析芯片的整体架构和功能奠定坚实的基础。在芯片的微观世界中，CMOS反相器通常由一个P型MOSFET和一个N型MOSFET组成。这两个晶体管的源极和漏极分别相连，形成一个互补对称的结构。当输入信号为低电平时，N型MOSFET处于关闭状态，而P型MOSFET则导通，电流从电源流向输出端，使得输出端呈现高电平；反之，
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CMOS 图像传感器 ISP
尽管第三季度前景疲软，受消费者需求低迷影响，但 GlobalFoundries 正在中国采取大胆行动。这家芯片制造商通过与新代工厂的新协议，正在加速其“中国为中国”战略，首期将启动汽车级 CMOS 和 BCD 技术，根据其 新闻稿 和 IT Home 的报道。如 IT之家所强调，并援引公司高管的话，目标订单来自在中国有需求的国内外半导体公司——在转移代工厂时，无需客户重新开发或重新认证其芯片设计。根据来自 Seeking Alpha 的财报记录，
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CMOS 汽车电子 传感器
五十多年来，半导体行业一直依赖一个简单的方程式——缩小晶体管，在每片晶圆上封装更多晶体管，并随着成本的下降而看到性能飙升。虽然每个新节点在速度、能效和密度方面都提供了可预测的提升，但这个公式正在迅速耗尽。随着晶体管接近个位数纳米工艺，制造成本正在飙升，而不是下降。电力传输正在成为速度与热控制的瓶颈，定义摩尔定律的自动性能提升正在减少。为了保持进步，芯片制造商已经开始抬头看——字面意思。他们不是将所有内容都构建在一个平面上，而是垂直堆叠逻辑、电源和内存。虽然 2.5D 封装已经将其中一些投入生产，将芯片并排
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CMOS 2.0 纳米 分层逻辑
在高速视觉应用的竞技场中，全局快门CMOS图像传感器扮演着关键角色。当设计需要捕捉高速动态场景的方案时，仅仅关注分辨率或帧率远远不够。传感器的核心特性——尤其是其快门机制——直接决定了能否无失真地“冻结”瞬间。深入理解全局快门在高速环境下的优势，并权衡光学格式、动态范围、噪声表现（SNR）、像素架构，乃至功耗、接口、HDR处理能力等综合特性，是选择真正匹配高速需求的图像传感器的必经之路。为了帮助筛选这些规格和功能，一个重要的考虑因素是传感器的预期应用。某些应用需要非常高的分辨率来捕捉静止物体，而另一些应用
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安森美 CMOS 传感器 HDR
英特尔和三星正在研发先进的制程节点和先进的封装技术，但目前所有大型厂商都已 100% 依赖台积电。大型语言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推动数据中心 AI 容量和性能的快速扩展。更强大的 LLM 模型推动了需求，并需要更多的计算能力。AI 数据中心需要 GPU/AI 加速器、交换机、CPU、存储和 DRAM。目前，大约一半的半导体用于 AI 数据中心。到 2030 年，这一比例将会更高。台积电在 AI 数据中心逻辑半导体领域几乎占据 100% 的市场份额。台积电生产：Nv
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CMOS
二维材料凭借其原子级厚度和高载流子迁移率，提供了一种极具前景的替代方案。
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CMOS
激光雷达，对于汽车产业的重要性不言而喻，它是自动驾驶汽车感知周围环境的关键传感器之一。凭借其高精度的 360 度全方位扫描能力，激光雷达能够实时生成车辆周围环境的精确三维地图，精准检测并追踪其他车辆、行人、障碍物等，为自动驾驶决策系统提供精准且可靠的数据支持，是保障自动驾驶汽车安全行驶、实现智能驾驶功能落地的核心基石，正推动着汽车产业向着更智能、更安全的方向加速变革。但是在给车辆更安全的环境感知能力之时，各位读者有没有想过，这些越来越多激光雷达，会逐渐开始危害我们的财产安全，而首当其冲的就是手机
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激光雷达 CMOS 摄影 ADAS
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）与Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG（总部：德国慕尼黑，以下简称”Rohde & Schwarz公司”）联合开发了RF（Radio Frequency）1系统（以下简称“本系统”），用于测量村田专有的功率控制技术——Digital ET (Digital Envelope Tracking)2的效果。通过使用本系统，可以高精度地测量5G和6G等的通信设备中Digital ET的省电效果。 近年来，随着通信设备的
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村田制作所 R&S Digital Envelope Tracking RF系统
在半导体领域，随着技术的不断演进，对CMOS（互补金属氧化物半导体）可靠性的要求日益提高。特别是在人工智能（AI）、5G通信和高性能计算（HPC）等前沿技术的推动下，传统的可靠性测试方法已难以满足需求。本文将探讨脉冲技术在CMOS可靠性测试中的应用，以及它如何助力这些新兴技术的发展。引言对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结
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CMOS 可靠性测试 脉冲技术 AI 5G HPC 泰克科技
摄像头CMOS传感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像设备的核心部件，广泛应用于智能手机、安防监控、汽车电子、工业检测等领域。以下是国内外主流的CMOS传感器厂家及其主要特点和代表性型号：从智能手机到自动驾驶，从安防监控到工业检测，CIS的身影无处不在。随着技术不断演进，CIS市场格局也在悄然变化。今天，我们就来一次全景扫描，盘点国内外主流CMOS传感器厂商，以及那些正在崛起的新兴势力。当年最缺芯片的时候，我别的不担心，最担心买不到索尼的Sensor，结果一开始我们用中国台湾的可以替代
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CMOS 图像传感器 ISP
当涉及到技术创新时，图像传感器的选择是设计和开发各种设备过程中一个至关重要的环节，这些设备包括专业或家庭安防系统、机器人、条形码扫描仪、工厂自动化、设备检测、汽车等。选择最合适的图像传感器需要对众多标准进行复杂的评估，每个标准都会影响最终产品的性能和功能。从光学格式和、动态范围到色彩滤波阵列（CFA）、像素类型、功耗和特性集成，这些标准的考虑因素多种多样，错综复杂。在各类半导体器件中，图像传感器可以说是最复杂的。这些传感器将光子转换为电信号，通过一系列微透镜、CFA、像素和模数转换器（ADC）产生数字输出
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图像传感器 CMOS 成像性能
cmos digital image sensor介绍
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